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IPI80N04S3H4AKSA1

IPI80N04S3H4AKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 40V 80A

通孔 N 通道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO262-3


得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


IPI80N04S3H4AKSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 115W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives., OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPI80N04S3H4AKSA1引脚图与封装图
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