耗散功率 58000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 48 ns
额定功率Max 58 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 58000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRGS4607DTRRPBF | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRGS4607DTRRPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263-3 58000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 58000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: IRGS4607DPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-263 58000mW | 类似代替 | IGBT 高达 20A,Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。 | IRGS4607DTRRPBF和IRGS4607DPBF的区别 |