IRF6609

Infineon(英飞凌) 分立器件

Direct-FET N-CH 20V 150A

N-Channel 20V 31A Ta, 150A Tc 1.8W Ta, 89W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MT

得捷:
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 150A 7-Pin Direct-FET MT

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 150A 7-Pin Direct-FET MT

IRF6609中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.8W Ta, 89W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 150A

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 6290pF @10VVds

下降时间 9.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta, 89W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF6609引脚图与封装图

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