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IKZ75N65EH5XKSA1

IKZ75N65EH5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单晶体管, IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 引脚

IGBT - 650 V 90 A 395 W 通孔 PG-TO247-4


得捷:
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4


欧时:
IGBT 650V 75A TRENCHSTOP5 Diode TO-247


e络盟:
单晶体管, IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 引脚


艾睿:
This powerful and secure IKZ75N65EH5XKSA1 IGBT transistor from Infineon Technologies will make sure your circuit works properly.


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 4-Pin TO-247 Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


IKZ75N65EH5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 395 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 58 ns

额定功率Max 395 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 395000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Datacenters, Telecom Rectifiers, Photovoltaic Inverters

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKZ75N65EH5XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon 英飞凌 单晶体管, IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 4 引脚 搜索库存