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IPP65R225C7XKSA1

IPP65R225C7XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPP65R225C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V

通孔 N 通道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO220-3


欧时:
Infineon IPP65R225C7XKSA1


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP65R225C7XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V


IPP65R225C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 63 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.199 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 63 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 996pF @400VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Alternative Energy, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, 替代能源

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP65R225C7XKSA1引脚图与封装图
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IPP65R225C7XKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP65R225C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存