IPU60R2K0C6AKMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPU60R2K0C6AKMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 22.3W Tc
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 140pF @100VVds
额定功率Max 22.3 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 22.3W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPU60R2K0C6AKMA1引脚图与封装图
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在线购买IPU60R2K0C6AKMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPU60R2K0C6AKMA1 | Infineon 英飞凌 | Mosfet n-Ch 600V To-251 | 搜索库存 |
替代型号IPU60R2K0C6AKMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPU60R2K0C6AKMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-251-3 600V | 当前型号 | Mosfet n-Ch 600V To-251 | 当前型号 |
| 型号： IPU60R2K0C6BKMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-251 N-Channel 650V 2.4A | 类似代替 | INFINEON IPU60R2K0C6BKMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V | IPU60R2K0C6AKMA1和IPU60R2K0C6BKMA1的区别 |