锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP65R310CFD

IPP65R310CFD

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

650V的CoolMOS C6 CFD功率晶体管 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor

Summary of Features:

.
650V technology with integrated fast body diode
.
Limited voltage overshoot during hard commutation
.
Significant Q g reduction compared to 600V CFD technology
.
Tighter R DSON max to R DSon typ window
.
Easy to design-in
.
Lower price compared to 600V CFD technology

Benefits:

.
Low switching losses due to low Q rr at repetitive commutation on body diode
.
Self limiting di/dt and dv/dt
.
Low Q oss
.
Reduced turn on and turn of delay times
.
Outstanding CoolMOS™ quality

Target Applications:

  

.
Telecom
.
Server
.
Solar
.
HID lamp ballast
.
LED lighting
.
eMobility
IPP65R310CFD中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 280 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 104.2 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 11.4A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

额定功率Max 104.2 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 104.2W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP65R310CFD引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP65R310CFD
型号 制造商 描述 购买
IPP65R310CFD Infineon 英飞凌 650V的CoolMOS C6 CFD功率晶体管 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor 搜索库存