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IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V

Summary of Features:

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Optimized for synchronous rectification
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Ideal for high switching frequency
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Output capacitance reduction of up to 44% 
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R DSon reduction of up to 43% from previous generation

Benefits:

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Highest system efficiency
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Reduced switching and conduction losses
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Less paralleling required
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Increased power density
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Low voltage overshoot

Target Applications:

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Telecom
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Server
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Solar
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Low voltage drives
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Light electric vehicles
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Adapter
IPT015N10N5ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 375 W

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0013 Ω

极性 N-CH

耗散功率 375 W

阈值电压 2.2 V

输入电容 12 nF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 300A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 16000pF @50VVds

额定功率Max 375 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 PG-HSOF-8-1

外形尺寸

宽度 10.1 mm

封装 PG-HSOF-8-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPT015N10N5ATMA1引脚图与封装图
IPT015N10N5ATMA1引脚图

IPT015N10N5ATMA1引脚图

IPT015N10N5ATMA1封装图

IPT015N10N5ATMA1封装图

IPT015N10N5ATMA1封装焊盘图

IPT015N10N5ATMA1封装焊盘图

在线购买IPT015N10N5ATMA1
型号 制造商 描述 购买
IPT015N10N5ATMA1 Infineon 英飞凌 N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V 搜索库存
替代型号IPT015N10N5ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPT015N10N5ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-CH 100V 300A

当前型号

N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V

当前型号

型号: IPT020N10N3ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 300A

功能相似

INFINEON  IPT020N10N3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.7 V

IPT015N10N5ATMA1和IPT020N10N3ATMA1的区别