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IPP60R520E6XKSA1

IPP60R520E6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R520E6XKSA1, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。


得捷:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R520E6XKSA1, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.1A; 66W; PG-TO220-3


IPP60R520E6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 66 W

极性 N-CH

耗散功率 66W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 8.1A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 512pF @100VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 66W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPP60R520E6XKSA1引脚图与封装图
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IPP60R520E6XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R520E6XKSA1, 8.1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 搜索库存