IPA60R520C6
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Infineon
英飞凌
分立器件
IPA60R520C6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 470 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 29 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 8.1A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 512pF @100VVds
额定功率Max 29 W
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 29W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IPA60R520C6引脚图与封装图
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在线购买IPA60R520C6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPA60R520C6 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 搜索库存 |
替代型号IPA60R520C6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPA60R520C6 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-220 N-CH 600V 8.1A | 当前型号 | Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | 当前型号 |
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