锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPP60R125CPXKSA1

IPP60R125CPXKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPP60R125CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CPXKSA1, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP60R125CPXKSA1  Power MOSFET, N Channel, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 / N-Channel 650 V 25A Tc 208W Tc Through Hole PG-TO220-3


IPP60R125CPXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 25.0 A

额定功率 208 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 3 V

输入电容 2.50 nF

栅电荷 70.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2500pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, 通信与网络, 替代能源, 工业, Consumer Electronics, 消费电子产品, Communications & Networking, Alternative Energy, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP60R125CPXKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPP60R125CPXKSA1
型号 制造商 描述 购买
IPP60R125CPXKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP60R125CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存