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IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 100V 90A

表面贴装型 N 通道 100 V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD068N10N3GBTMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.7 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 4910pF @50VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPD068N10N3GBTMA1引脚图与封装图
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