
极性 N-CH
耗散功率 94W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 6.4 ns
输入电容Ciss 5300pF @15VVds
额定功率Max 94 W
下降时间 5.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 94W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP034N03LGHKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-220 N-CH 30V 80A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPP034N03LGHKSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220-3 N-CH 30V 80A | 当前型号 | TO-220 N-CH 30V 80A | 当前型号 | |
型号: IPP034N03LGXKSA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 80A | 类似代替 | IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IPP034N03LGHKSA1和IPP034N03LGXKSA1的区别 |