IPI110N20N3GAKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 200V 88A

通孔 N 通道 200 V 88A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3

立创商城:
N沟道 200V 88A

得捷:
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 63A; 300W; PG-TO262-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

IPI110N20N3GAKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 300 W

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 88A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 7100pF @100VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IPI110N20N3GAKSA1引脚图与封装图

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