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IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 100V 67A

Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from Technologies. Its maximum power dissipation is 125000 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos 2 technology.

IPD12CN10NGBUMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 67A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 4320pF @50VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD12CN10NGBUMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD12CN10NGBUMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 100V 67A 搜索库存
替代型号IPD12CN10NGBUMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD12CN10NGBUMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPAK N-Channel 100V 67A

当前型号

DPAK N-CH 100V 67A

当前型号

型号: IPD082N10N3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 80A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.7 V

IPD12CN10NGBUMA1和IPD082N10N3GATMA1的区别