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IPP60R125P6XKSA1

IPP60R125P6XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V

IPP60R125P6, SP001114648


立创商城:
N沟道 600V 30A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3


贸泽:
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


IPP60R125P6XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 219 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 113 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 219 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2660pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 219W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 PWM stages TTF, LLC for, PFC stages for, , telecom rectifier,

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP60R125P6XKSA1引脚图与封装图
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IPP60R125P6XKSA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.113 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存