IPW65R190E6FKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190E6FKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。

得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3

欧时:
Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R190E6FKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 20.8A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

IPW65R190E6FKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 151 W

极性 N-CH

耗散功率 151 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.8A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1620pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 151W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 21.1 mm

高度 5.21 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IPW65R190E6FKSA1引脚图与封装图

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