IPB027N10N3GATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
INFINEON IPB027N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3GATMA1, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3