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IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPB027N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3GATMA1, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3


IPB027N10N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2.7 V

输入电容 11100 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 58 ns

输入电容Ciss 11100pF @50VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Isolated DC-DC converters telecom and datac, Industrial, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, 电源管理, Power Management, Power Management, Audio, , Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPB027N10N3GATMA1引脚图与封装图
IPB027N10N3GATMA1引脚图

IPB027N10N3GATMA1引脚图

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IPB027N10N3GATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPB027N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V 搜索库存