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IPZ65R045C7XKSA1

IPZ65R045C7XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPZ65R045C7XKSA1, 46 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 46A TO247


欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPZ65R045C7XKSA1, 46 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 650 V, 0.04 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Infineon Technologies&s; IPZ65R045C7XKSA1 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 227000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with coolmos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650MinV 46A 4-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


IPZ65R045C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 227 W

针脚数 4

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 N-CH

耗散功率 227 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 46A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 4340pF @400VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 227W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 21.1 mm

高度 5.21 mm

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPZ65R045C7XKSA1引脚图与封装图
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IPZ65R045C7XKSA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPZ65R045C7XKSA1, 46 A, Vds=700 V, 4引脚 TO-247封装 搜索库存