IRLML5103TRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRLML5103TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.54 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.6 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 540 mW
阈值电压 1 V
输入电容 75 pF
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 0.76A
上升时间 8.2 ns
输入电容Ciss 75pF @25VVds
额定功率Max 540 mW
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Portable Devices, Load Switch, Computers & Computer Peripherals, DC Switches, 计算机和计算机周边, 便携式器材, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRLML5103TRPBF引脚图与封装图 
IRLML5103TRPBF引脚图
IRLML5103TRPBF封装图
IRLML5103TRPBF封装焊盘图
在线购买IRLML5103TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLML5103TRPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V | 搜索库存 |
替代型号IRLML5103TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLML5103TRPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： µSOIC P-Channel 30V 0.76A | 当前型号 | INFINEON IRLML5103TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -600 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V | 当前型号 |
| 型号： IRLML5103GTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 P-Channel 30V 0.76A | 完全替代 | P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRLML5103TRPBF和IRLML5103GTRPBF的区别 |
| 型号： IRLML5103TR 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 P-CH 30V 0.76A | 类似代替 | SOT-23P-CH 30V 0.76A | IRLML5103TRPBF和IRLML5103TR的区别 |
| 型号： NDS352AP 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-236-3 P-Channel -30V 900mA 500mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDS352AP 晶体管, MOSFET, P沟道, 900 mA, -30 V, 0.25 ohm, -10 V, -1.7 V | IRLML5103TRPBF和NDS352AP的区别 |