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IPA50R950CEXKSA2

IPA50R950CEXKSA2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-220 整包

通孔 N 通道 3.7A(Tc) 25.7W(Tc) TO-220 整包


欧时:
Infineon MOSFET IPA50R950CEXKSA2


得捷:
MOSFET N-CH 500V 3.7A TO220


立创商城:
N沟道 500V 3.7A


贸泽:
MOSFET CONSUMER


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 V


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then Infineon Technologies&s; IPA50R950CEXKSA2 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 257000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with coolmos ce technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 4.3A 3-Pin TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


IPA50R950CEXKSA2中文资料参数规格
技术参数

额定功率 25.7 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.86 Ω

极性 N-CH

耗散功率 25.7 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 4.3A

上升时间 4.9 ns

输入电容Ciss 231pF @100VVds

下降时间 19.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 25.7W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPA50R950CEXKSA2引脚图与封装图
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