IPI65R380C6XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定功率 83 W
极性 N-CH
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 10.6A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPI65R380C6XKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R380C6XKSA1, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | 搜索库存 |