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IPB200N15N3 G

IPB200N15N3 G

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


欧时:
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
N沟道 150V 50A


得捷:
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DSon of 40% and of 45% in Figure of Merit FOM compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin2+Tab TO-263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 150V 50A 20mOhm TO263-3 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3


IPB200N15N3 G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1820pF @75VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Class D audio amplifiers, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB200N15N3 G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB200N15N3 G Infineon 英飞凌 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存