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IPP65R125C7XKSA1

IPP65R125C7XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPP65R125C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3.5 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R125C7XKSA1, 18 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 650V 18A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_NEW


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP65R125C7XKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 650 V, 0.11 ohm, 10 V, 3.5 V


IPP65R125C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 101 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 101 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1670pF @400VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 101W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP65R125C7XKSA1引脚图与封装图
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