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IPS65R1K4C6AKMA1

IPS65R1K4C6AKMA1

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Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 650V 3.2A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPS65R1K4C6AKMA1, 3.2 A, Vds=700 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 700V 3.2A IPAK-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin TO-251 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; IPAK SL


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


IPS65R1K4C6AKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 28 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 3.2A

上升时间 5.9 ns

输入电容Ciss 225pF @100VVds

下降时间 18.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.39 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPS65R1K4C6AKMA1引脚图与封装图
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IPS65R1K4C6AKMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存