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IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 55V 80A

Summary of Features:

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 N-channel - Enhancement mode
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• Automotive AEC Q101 qualified
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• MSL1 up to 260°C peak reflow
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• 175°C operating temperature
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• Green package lead free
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• Ultra low Rdson
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• 100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 55V on  in planar technology
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB80N06S209ATMA2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 190W Tc

漏源极电压Vds 55 V

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 2360pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPB80N06S209ATMA2引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB80N06S209ATMA2 Infineon 英飞凌 N沟道 55V 80A 搜索库存
替代型号IPB80N06S209ATMA2
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB80N06S209ATMA2

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263-3

当前型号

N沟道 55V 80A

当前型号

型号: IPB80N06S209ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 55V 80A

完全替代

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S209ATMA1, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

IPB80N06S209ATMA2和IPB80N06S209ATMA1的区别