锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IPS65R1K5CEAKMA1

IPS65R1K5CEAKMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 650 V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-251


得捷:
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 3.1A IPAK-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.1A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 3.1A 3-Pin TO-251 Tube


富昌:
650V, 8.3A, 15OHM, IPAK SHORT LEADS


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.1A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


IPS65R1K5CEAKMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 28 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 3.1A

上升时间 5.9 ns

输入电容Ciss 225pF @100VVds

下降时间 18.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 28W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPS65R1K5CEAKMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPS65R1K5CEAKMA1
型号 制造商 描述 购买
IPS65R1K5CEAKMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPS65R1K5CEAKMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPS65R1K5CEAKMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 650V 3.1A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPS70R1K4P7SAKMA1

品牌: 英飞凌

封装: PG-TO251-3

类似代替

IPS70R1K4P7SAKMA1 袋装

IPS65R1K5CEAKMA1和IPS70R1K4P7SAKMA1的区别