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IRF40R207
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3 V

Benefits:

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Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
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Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
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Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
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Lead-Free, RoHS Compliant, Halogen-Free

得捷:
MOSFET N-CH 40V 56A TO252


欧时:
Infineon MOSFET IRF40R207


立创商城:
IRF40R207


e络盟:
晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 90V 90A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 56A TO252 / N-Channel 40 V 56A Tc 83W Tc Surface Mount PG-TO252-3


IRF40R207中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-CH

耗散功率 83 W

阈值电压 2.2 V

输入电容 2110 pF

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 2110pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.22 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRF40R207引脚图与封装图
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在线购买IRF40R207
型号 制造商 描述 购买
IRF40R207 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0042 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存