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IRLML2060TRPBF

IRLML2060TRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IRLML2060TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 60 V, 0.356 ohm, 10 V, 2.5 V

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2060TRPBF, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
N沟道 60V 1.2A


e络盟:
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 1.2A, SOT-23, 整卷


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
IRLML2060TRPBF N-channel MOSFET Transistor; 1.2 A; 60 V; 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  IRLML2060TRPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 1.2 A, 60 V, 0.356 ohm, 10 V, 2.5 V


儒卓力:
**MOSFET 60V 1.2A **


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3


IRLML2060TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 1.25 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.356 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1.25 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 64pF @25V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.2A

上升时间 3.8 ns

输入电容Ciss 64pF @25VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, DC Switches, 工业, Load Switch, Load Switch High Side, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRLML2060TRPBF引脚图与封装图
IRLML2060TRPBF引脚图

IRLML2060TRPBF引脚图

IRLML2060TRPBF封装图

IRLML2060TRPBF封装图

IRLML2060TRPBF封装焊盘图

IRLML2060TRPBF封装焊盘图

在线购买IRLML2060TRPBF
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IRLML2060TRPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRLML2060TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 60 V, 0.356 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
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型号: IRLML2060TRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 N-CH 60V 1.2A

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