IPB042N10N3GE8187ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3Pin TO-263 T/R

N-Channel 100V 100A Tc 214W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB

得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin TO-263 T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

IPB042N10N3GE8187ATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 214W Tc

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 8410pF @50VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 14 ns

耗散功率Max 214W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IPB042N10N3GE8187ATMA1引脚图与封装图

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