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IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V

Summary of Features:

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N-channel - Enhancement mode
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Automotive AEC Q101 qualified
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MSL1 up to 260°C peak reflow
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175°C operating temperature
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Green package lead free
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Ultra low Rdson
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100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 40V on
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPB160N04S203ATMA4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

漏源极电阻 0.0024 Ω

极性 N-CH

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 160A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 5300pF @25VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Thus OptiMOS-T2 40V products based on Infineon’s advanced trench technology will be the benchmark for next generation of automotive applications in energy efficiency, CO2 reduction, e-drives., OptiMOS-T2 40V addresses all kind of EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, elec

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPB160N04S203ATMA4引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB160N04S203ATMA4 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPB160N04S203ATMA4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB160N04S203ATMA4

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263-7 N-CH 40V 160A

当前型号

晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPB160N04S203ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-CH 40V 160A

功能相似

D2PAK N-CH 40V 160A

IPB160N04S203ATMA4和IPB160N04S203ATMA1的区别