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IPW65R095C7XKSA1

IPW65R095C7XKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPW65R095C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247


欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R095C7XKSA1, 24 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装


贸泽:
MOSFET HIGH POWER_NEW


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 33A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# INFINEON  IPW65R095C7XKSA1  MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 650 V, 0.084 ohm, 10 V, 3.5 V


IPW65R095C7XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 128 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.084 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 128 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2140pF @400VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 128W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, 通信与网络, 替代能源, 工业, Communications & Networking, Alternative Energy, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPW65R095C7XKSA1引脚图与封装图
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