IPD65R1K4CFDBTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD65R1K4CFDBTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 28.4 W
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 28.4 W
漏源极电压Vds 700 V
连续漏极电流Ids 2.8A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 262pF @100VVds
下降时间 18.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 28.4W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD65R1K4CFDBTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD65R1K4CFDBTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD65R1K4CFDBTMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 700V 2.8A | 搜索库存 |
替代型号IPD65R1K4CFDBTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD65R1K4CFDBTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 700V 2.8A | 当前型号 | DPAK N-CH 700V 2.8A | 当前型号 |
| 型号： IPD60R950C6ATMA1 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 600V 4.4A | 类似代替 | INFINEON IPD60R950C6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V | IPD65R1K4CFDBTMA1和IPD60R950C6ATMA1的区别 |
| 型号： IPD65R1K4CFDATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 650V 2.8A | 类似代替 | DPAK N-CH 650V 2.8A | IPD65R1K4CFDBTMA1和IPD65R1K4CFDATMA1的区别 |