IRFH7882TRPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

N-CH 80V 26A

表面贴装型 N 通道 80 V 26A（Ta） 4W（Ta），195W（Tc） 8-PQFN（5x6）

得捷:
MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN

安富利:
MOSFET, 80V, 180A, 3.1 MOHM, 49 NC QG, PQFN 5X6

IRFH7882TRPBF中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 4W Ta, 195W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 26A

输入电容Ciss 3186pF @40VVds

耗散功率Max 4W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IRFH7882TRPBF引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IRFH7882TRPBF

型号	制造商	描述	购买
IRFH7882TRPBF	Infineon 英飞凌	N-CH 80V 26A	搜索库存