IPU80R1K4CEBKMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPU80R1K4CEBKMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 63 W
极性 N-CH
耗散功率 63 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 3.9A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 570pF @100VVds
额定功率Max 63 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPU80R1K4CEBKMA1引脚图与封装图
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在线购买IPU80R1K4CEBKMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPU80R1K4CEBKMA1 | Infineon 英飞凌 | TO-251 N-CH 800V 3.9A | 搜索库存 |
替代型号IPU80R1K4CEBKMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPU80R1K4CEBKMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-251-3 N-CH 800V 3.9A | 当前型号 | TO-251 N-CH 800V 3.9A | 当前型号 |
| 型号： IPU80R1K4CEAKMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-251-3 | 类似代替 | 800V CoolMOS™ CE is Infineon’s high performance device family offering 800 volts break down voltage. The CE targets consumer electronics applications as well as Lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS™ family, Infineon combines long experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. | IPU80R1K4CEBKMA1和IPU80R1K4CEAKMA1的区别 |