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IPD60R450E6ATMA1

IPD60R450E6ATMA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPD60R450E6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V

N沟道,600V,9.2A,450mΩ@10V


得捷:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3


立创商城:
N沟道 600V 9.2A


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MOSFET N-Ch 650V 9.2A DPAK-2


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V


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MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Opt


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 9.2A 3-Pin TO-252 T/R


Newark:
# INFINEON  IPD60R450E6ATMA1  Power MOSFET, N Channel, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252


IPD60R450E6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.41 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 9.2A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 620pF @100VVds

额定功率Max 74 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPD60R450E6ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD60R450E6ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD60R450E6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPD60R450E6ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD60R450E6ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 650V 9.2A

当前型号

INFINEON  IPD60R450E6ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPD60R450E6

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 650V 9.2A

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