IPI50R250CPXKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R250CPXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

CoolMOS™CP 功率 MOSFET

得捷:
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3

欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI50R250CPXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 114W; PG-TO262-3

IPI50R250CPXKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 114 W

极性 N-CH

耗散功率 114W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 13A

输入电容Ciss 1420pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 114W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 9.25 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IPI50R250CPXKSA1引脚图与封装图

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