IPB60R380P6ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 600V 10.6A

表面贴装型 N 通道 600 V 10.6A（Tc） 83W（Tc） D²PAK（TO-263AB）

得捷:
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin TO-263 T/R

IPB60R380P6ATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 83W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10.6A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 877pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 PWM stages TTF, LLC for, , telecom rectifier,, PFC stages for

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IPB60R380P6ATMA1引脚图与封装图

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