IPD530N15N3GBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 150V 21A

表面贴装型 N 通道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO252-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3

IPD530N15N3GBTMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 68 W

极性 N-Channel

耗散功率 68 W

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 887pF @75VVds

额定功率Max 68 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPD530N15N3GBTMA1引脚图与封装图

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