IPA90R1K0C3
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPA90R1K0C3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 32 W
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.70 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 850pF @100VVds
额定功率Max 32 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 32W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
宽度 4.85 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPA90R1K0C3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPA90R1K0C3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPA90R1K0C3 | Infineon 英飞凌 | 900V,5.7A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |