锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRL8114PBF

IRL8114PBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Benefits:

.
Low RDSon at 4.5V VGS
.
Low Gate Charge
.
Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
.
Lead-Free

得捷:
IRL8114 - 12V-300V N-CHANNEL POW


立创商城:
N沟道 30V 120A


贸泽:
MOSFET TRENCH_MOSFETS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IRL8114PBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 115 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 1 ns

输入电容Ciss 2660pF @15VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRL8114PBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRL8114PBF
型号 制造商 描述 购买
IRL8114PBF Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存