IPW60R250CP

Infineon(英飞凌) 分立器件

酷MOS ™功率晶体管提供新的革命性的高电压技术 Cool MOS™ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

N-Channel 650V 12A Tc 104W Tc Through Hole PG-TO247-3

得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-247

Win Source:
Cool MOS Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

IPW60R250CP中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

输入电容Ciss 1200pF @100VVds

额定功率Max 104 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 104W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPW60R250CP引脚图与封装图

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