IPD50N06S4L12ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD50N06S4L12ATMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
输入电容Ciss 2890pF @25VVds
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD50N06S4L12ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD50N06S4L12ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD50N06S4L12ATMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 60V 50A | 搜索库存 |
替代型号IPD50N06S4L12ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD50N06S4L12ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A | 当前型号 | DPAK N-CH 60V 50A | 当前型号 |
| 型号： IPD50N06S4L12ATMA2 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 V | IPD50N06S4L12ATMA1和IPD50N06S4L12ATMA2的区别 |