IRFB3407ZPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 230 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 122A
上升时间 64 ns
输入电容Ciss 4750pF @50VVds
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Battery Operated Drive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRFB3407ZPBF | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.005 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |