IPD50N06S4L08ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD50N06S4L08ATMA1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 71 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 4780pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 71W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD50N06S4L08ATMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD50N06S4L08ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD50N06S4L08ATMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 60V 50A | 搜索库存 |
替代型号IPD50N06S4L08ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD50N06S4L08ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A | 当前型号 | DPAK N-CH 60V 50A | 当前型号 |
| 型号： IPD50N06S4L08ATMA2 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 60V 50A | 类似代替 | N沟道 60V 50A | IPD50N06S4L08ATMA1和IPD50N06S4L08ATMA2的区别 |