IPI90R1K2C3XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定功率 83 W
极性 N-Channel
耗散功率 83W Tc
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 5.10 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 710pF @100VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IPI90R1K2C3XKSA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装 | 搜索库存 |