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IPA65R310CFDXKSA1

IPA65R310CFDXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

PG-TO220 整包

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220


立创商城:
N沟道 650V 11.4A


欧时:
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 700V 11.4A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pack Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 32W; TO220FP


IPA65R310CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 32 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.28 Ω

极性 N-CH

耗散功率 32 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11.4A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPA65R310CFDXKSA1引脚图与封装图
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