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IPA60R165CP

IPA60R165CP

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的CoolMOS功率晶体管 CoolMos Power Transistor

N-Channel 600V 21A Tc 34W Tc Through Hole PG-TO220 Full Pack


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3


立创商城:
IPA60R165CP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3


IPA60R165CP中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 34.0 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 5 ns

下降时间 5 ns

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

IPA60R165CP引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPA60R165CP Infineon 英飞凌 的CoolMOS功率晶体管 CoolMos Power Transistor 搜索库存
替代型号IPA60R165CP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPA60R165CP

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220FP N-Channel 600V 21A

当前型号

的CoolMOS功率晶体管 CoolMos Power Transistor

当前型号

型号: STB15NM60ND

品牌: 意法半导体

封装: TO-263-3 N-Channel 600V 14A

功能相似

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IPA60R165CP和STB15NM60ND的区别

型号: STF21NM60ND

品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 600V 17A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STF21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V

IPA60R165CP和STF21NM60ND的区别

型号: STF25NM60ND

品牌: 意法半导体

封装: TO-220FP N-Channel 600V 21A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STF25NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

IPA60R165CP和STF25NM60ND的区别