IPD50P03P4L11ATMA1

INFINEON  IPD50P03P4L11ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

得捷:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

立创商城:
P沟道 30V 50A

欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD50P03P4L11ATMA1, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK TO-252封装

贸泽:
MOSFET P-CHANNEL

e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -50 A, -30 V, 0.0083 ohm, -10 V, -1.5 V

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3