IPI65R099C6XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 650V 38A

通孔 N 通道 650 V 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1

得捷:
MOSFET N-CH 650V 38A TO262-3

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin TO-262 Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3

IPI65R099C6XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 278 W

极性 N-CH

耗散功率 278W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 38A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 2780pF @100VVds

下降时间 6 ns

耗散功率Max 278W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPI65R099C6XKSA1引脚图与封装图

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